Silicium-germanium

	Silicium-germanium
Identification
Nom UICPA	Silicium-germanium
Propriétés chimiques
Formule	GexSi1-x
Cristallographie
Structure type	Blende
	Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.

Les alliages silicium-germanium forment une famille de composés de formule Ge_xSi_1-x, utilisés en tant que semi-conducteurs dans des transistors.

Ces alliages possèdent également de bonnes caractéristiques thermoélectriques aux hautes températures (au-dessus de 1 000 K) et sont notamment utilisés pour la génération d’électricité dans le domaine spatial[1]^,[2]. Ce sont par exemple des alliages de ce type qui sont utilisés pour l'alimentation en électricité (en) des sondes Voyager.

Voir aussi

Articles connexes

Notes et références

(en) B. Abeles, D. S. Beers, G. D. Cody et J. P. Dismukes, « Thermal conductivity of Ge-Si alloys at high temperatures », Physical Review, vol. 125, n^o 1,‎ 1962, p. 44-46.
(en) O. Yamashita et N. Sadatomi, « Thermoelectric properties of Si1-xGex (x<0.10) with alloy and dopant segregations », Journal of Applied Physics, vol. 88, n^o 1,‎ 2000, p. 245-252.

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[1] (en) B. Abeles, D. S. Beers, G. D. Cody et J. P. Dismukes, « Thermal conductivity of Ge-Si alloys at high temperatures », Physical Review, vol. 125, n^o 1,‎ 1962, p. 44-46.

[2] (en) O. Yamashita et N. Sadatomi, « Thermoelectric properties of Si1-xGex (x<0.10) with alloy and dopant segregations », Journal of Applied Physics, vol. 88, n^o 1,‎ 2000, p. 245-252.